There is a local version available of this page. Change to the local version?
United States

Semiconductors

Foreign material elemental analysis of defective parts on SiC wafers

Identification of foreign elements that cause defects on SiC wafers

After confirming the defective area using an X-ray transmission image, the cause of the defect can be identified using elemental analysis.

Запросить информацию

У вас есть вопросы или пожелания? Используйте эту форму, чтобы связаться с нашими специалистами.

* Эти поля обязательны для заполнения.

Browse all applications related to foreign material elemental analysis

You might also like to know