There is a local version available of this page. Change to the local version?
United States

Semiconductors

SiC carrier lifetime analysis

Carrier lifetime analysis of different SiC film formation conditions by PL lifetime measurement

Substrates with a large amount of dopant have a short PL lifetime and a PL peak appears around 500 nm.

Wniosek o udzielenie informacji

Masz pytania lub prośby? Skorzystaj z tego formularza, aby skontaktować się z naszymi specjalistami.

* Te pola są obowiązkowe.