To reduce the chamber-to-chamber variation and to optimize the yield of an etching tool, HORIBA offers a wide range of fluid control modules and smart sensors for endpoint detection and chamber health monitoring. Compact and robust, they can be used for R&D and for Production.

Etching은 제조 과정에서 웨이퍼 표면의 층을 화학적으로 제거하기 위해 미세 제조에 사용됩니다.
식각은 매우 중요한 프로세스 모듈이며, 모든 웨이퍼는 완료되기 전에 많은 식각 단계를 거칩니다.

많은 식각 단계에서 웨이퍼의 일부는 식각에 저항하는 "마스크" 물질에 의해 식각으로부터 보호됩니다. 경우에 따라, 마스킹 물질은 포토 리소그래피를 이용하여 패턴화된 포토레지스트입니다. 질화 규소와 같은 다른 상황에서는 더 내구성이 높은 마스크가 필요합니다.

Dry etching refers to the removal of material, typically a masked pattern of semiconductor material, by exposing the material to a bombardment of ions (usually a plasma of reactive gases such as fluorocarbons, oxygen, chlorine, boron trichloride; sometimes with addition of nitrogen, argon, helium and other gases) that dislodge portions of the material from the exposed surface. A common type of dry etching is reactive-ion etching. Unlike with many (but not all, see isotropic etching) of the wet chemical etchants used in wet etching, the dry etching process typically etches directionally or anisotropically.