Atomic layer deposition (ALD) is a thin-film deposition technique based on the sequential use of a gas phase chemical process. ALD is considered a subclass of chemical vapour deposition. The majority of ALD reactions use two chemicals, typically called precursors. These precursors react with the surface of a material one at a time in a sequential, self-limiting, manner. Through the repeated exposure to separate precursors, a thin film is slowly deposited. ALD is a key process in the fabrication of semiconductor devices, and part of the set of tools available for the synthesis of nano materials. 

Plasma-Enhanced ALD is a technique where plasma is used to enhance an atomic layer deposition (ALD) process, forming a thin-film coating. Like standard ALD, PEALD reacts specific chemical precursors but also cycles an RF-plasma to better control chemical reactions within the process. This allows high levels of conformality in production. It also requires a much lower temperature than standard ALD, making it suitable for temperature-sensitive materials. 

화학적 기상 증착(CVD)은 일반적으로 진공 상태에서 고품질의 고성능 고체 물질을 생산하기 위해 사용되는 증착법입니다. 이 공정은 종종 반도체 제조와 박막 생산에 사용됩니다.

일반적인 CVD에서 기판은 하나 이상의 휘발성 전구체에 노출되며, 이러한 전구체는 기판 표면에서 반응 및/또는 분해되어 원하는 증착물을 생성합니다. CVD에는 CVD의 기본 원칙을 가장 일반적으로 기반으로 하는 확장된 프로세스 제품군이 있습니다.

대기압 CVD(APCVD)

저압 CVD(LPCVD)

초고진공 CVD(UHVCVD)

에어로졸 지원 CVD(AACVD)

직접 액체 분사 CVD(DLICVD)

플라즈마 강화 CVD(PECVD)

원격 플라즈마 강화 CVD(RPECVD)

원자층 퇴적.

금속 유기화학기상증착(MOCVD)

물리적 기상 증착(PVD)은 박막 및 코팅 제조에 사용할 수 있는 다양한 진공 증착 방법을 설명합니다. PVD는 물질이 응축상에서 증기상으로 이동한 후 다시 박막 응축상으로 돌아오는 과정을 특징이라 할수 있습니다. 가장 일반적인 PVD 과정은 스퍼터링과 증발입니다. PVD는 기계적, 광학적, 화학적, 전자적 기능을 위한 박막을 필요로 하는 품목의 제조에 사용됩니다.

스퍼터링 기술에는 마그네트론, 이온 빔, 반응성, 이온 어시스트, 가스 흐름 등이 포함됩니다.

증발에는 두 가지 기본 과정이 포함됩니다. 즉, 열원 물질이 증발하고 기판에 응축됩니다.

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