GD-OES(Glow Discharge Optical Emission Spectroscopy)とは、グロー放電領域のスパッタリングを用いて、導電性・非導電性皮膜をスパッタリングし、スパッタされた原子のArプラズマ内における発光を分光測定する手法です。

グロー放電発光表面分析法（GD-OES 法）は、めっき・熱処理・蒸着・スパッタなど各種表面処理が施された試料の深さ方向元素分析（Depth Profile Analysis） を迅速に行う分析手法です。 深さ方向への分析方法とし ては、二次イオン質量分析法（SIMS）、オージェ電子分光法（AES）、光電子分光法（XPS）や、試料切断・樹脂抱埋・ 研磨により作製した試料断面を SEM-EDX 観察や EPMA などにて元素分析するのが一般的ですが、これらの方法は分析および分析までの前処理に時間や経験を要するなど難しい面があります。 GD-OES 法は、迅速性に優れ、簡単に分析できると いう特長を有しており、めっきなどの湿式成膜や蒸着・ スパッタなどの乾式成膜で形成された薄膜に対する分析手法として活用されています。

• 最表面から母材までミクロンオーダでも数分で分析できます。
• 深さ方向の元素プロファイルを高感度に分析できます。
• H, C, N, O などの軽元素から U まで多元素同時分析できます。中でも、B, Li, F などの元素が測れることが特長的です。
• 試料の前処理が不要で、試料導入も大気中で行えるため、試料 のセットから測定完了まで、わずか数分で完了します。
• 高周波グロー放電方式のため、ガラスやセラミックスのような非導電性試料も測れ、測定対象の材質の幅が広がります。
• 間欠的スパッタリングにより熱ダメージの影響が出やすい 有機系皮膜やガラスなども高分解能に測定できます。