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United States

Semiconductor

キャリア寿命分析

SiCキャリア寿命分析

PL寿命測定による異なるSiC成膜条件のキャリア寿命分析

ドーパント量が多い基板はPL寿命が短く、また500 nm付近にPLピークが現れます。

蛍光寿命測定装置 DeltaFlex

  • PL寿命測定により、キャリア寿命の違いを観察
  • 多彩な光源波長レパートリ
  • ピコ秒から数秒のワイドレンジのPL寿命に対応

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