Atomic layer deposition (ALD) is a thin-film deposition technique based on the sequential use of a gas phase chemical process. ALD is considered a subclass of chemical vapour deposition. The majority of ALD reactions use two chemicals, typically called precursors. These precursors react with the surface of a material one at a time in a sequential, self-limiting, manner. Through the repeated exposure to separate precursors, a thin film is slowly deposited. ALD is a key process in the fabrication of semiconductor devices, and part of the set of tools available for the synthesis of nano materials. 

Plasma-Enhanced ALD is a technique where plasma is used to enhance an atomic layer deposition (ALD) process, forming a thin-film coating. Like standard ALD, PEALD reacts specific chemical precursors but also cycles an RF-plasma to better control chemical reactions within the process. This allows high levels of conformality in production. It also requires a much lower temperature than standard ALD, making it suitable for temperature-sensitive materials. 

化学气相沉积（CVD）是一种通常在真空下生产高质量、高性能固体材料的沉积方法。该工艺通常用于制造半导体和薄膜生产。

在典型的化学气相沉积中，基板接触一种或多种挥发性前驱体，前驱体在基板表面发生反应和/或分解，产生所需的沉积物。根据化学气相沉积的基本原理，化学气相沉积有一系列扩展工艺，最常见的有：

常压化学气相沉积法（APCVD）

低压化学气相沉积法（LPCVD）

超高真空化学气相沉积法（UHVCVD）

气溶胶辅助化学气相沉积法（AACVD）

直接液体注入式化学气相沉积法（DLICVD）

等离子体增强化学气相沉积积法（PECVD）

远程等离子体增强化学气相沉积法（RPECVD）

原子层沉积法

金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）

物理气相沉积法（PVD）是可用于多种薄膜生产和镀层的真空沉积方法。在 PVD 工艺中，材料从固相变成气相，然后回到薄膜固相。溅射和汽化是最常见的 PVD 工艺。PVD 主要用于制造机械、光学、化学或电子功能的芯片所需要的薄膜。

溅射技术包括：磁控管溅射、离子束溅射、反应溅射、离子束辅助溅射、气流溅射。

汽化包括两个基本工艺：热源材料汽化并在基板上凝结。

Software Information
 Open Source Software
 EtherCAT Communication