光致发光扫描成像表征III-V族晶圆特性

III-V族半导体对于制造有源光子器件（例如光源和探测器）很重要。此类器件的成功制造依赖于高质量的基础材料在晶圆衬底上精确沉积预期的几何形状。¹ 有缺陷的材料和几何形状的不完美会对产量产生不利影响，并且通常会增加成本和开发时间。如果没有足够早的发现材料或器件几何结构中的此类缺陷，成本和时间损失会进一步加剧。