O GDOES fornece tanto o perfil de superfície/profundidade quanto a composição elementar em massa de materiais sólidos e camadas.
Como a sigla sugere, GDOES combina uma descarga luminescente (GD) com um espectrômetro de emissão óptica (OES). Trata-se de uma técnica analítica que fornece, de forma rápida e com alta sensibilidade a todos os elementos, tanto o perfil de superfície/profundidade quanto a composição elementar do material sólido e de suas camadas.
A espectroscopia de emissão óptica com dispersão de gás (GDOES) é uma técnica analítica que fornece tanto o perfil de superfície/profundidade quanto a composição elementar em massa de materiais sólidos e camadas.
Trata-se de uma técnica analítica que fornece, de forma rápida e com alta sensibilidade a todos os elementos, tanto o perfil de superfície/profundidade quanto a composição elementar em massa de materiais sólidos e camadas.
A técnica GD é destrutiva. Uma cratera é formada na amostra após a análise.
A operação envolve a pulverização controlada de uma área representativa da amostra a ser analisada pelo plasma GD e a observação simultânea por OES das espécies pulverizadas. A técnica GD é destrutiva. Uma cratera é formada na amostra após a análise.
A técnica é extremamente rápida e a resolução de profundidade pode ser excelente (nível de nanômetro) se a amostra for plana sobre a área pulverizada.
As "descargas luminescentes" são fontes de plasma de baixa pressão encontradas em diversos domínios, desde telas de plasma de TV até fontes de luz.
A maioria dos revestimentos usados na indústria microeletrônica é depositada utilizando esses plasmas. Os plasmas também são aplicados para a descontaminação de superfícies. O ajuste das trajetórias de satélites é feito por meio de propulsores movidos a plasma.
Surpreendentemente, nosso GDOES vem de uma origem muito diferente, ou seja, do domínio da química analítica na indústria metalúrgica. Quando W. Grimm propôs a primeira fonte GD em 1968, sua ideia era conectá-la a um Espectrômetro de Emissão Óptica (OES) e obter uma fonte de luz superior, em comparação com sua fonte de faísca padrão, para análise elementar de ligas de cobre em massa.
Logo, um grupo de pesquisadores que trabalhava com R. Berneron no IRSID, na França, percebeu o potencial dessa nova combinação para a exploração de chapas de aço galvanizado e de filmes passivos em aço, mostrando a análise de perfil de profundidade elementar de filmes espessos e finos por GDOES. Durante muitos anos, a técnica se desenvolveu principalmente na indústria siderúrgica, embora os primeiros perfis de profundidade publicados com GDOES (1970) fossem de filmes finos de GaAs.
Por GDOES de RF pulsada, nos referimos ao instrumento GD mais recente e completo. Neste instrumento, o plasma GD ainda é combinado com óptica de alta resolução, mas a alimentação do plasma é feita por RF pulsada.
Com a espectroscopia de emissão óptica com detector de domínio de radiofrequência pulsada (RF GDOES), não só o leque de aplicações da difração de raios X (GD) aumentou drasticamente, como também a tarefa de obter perfis de profundidade quantitativos foi simplificada. Por exemplo, uma única calibração pode ser feita utilizando um material multicamadas contendo camadas condutoras e isolantes.
A amostra é um componente eletrônico feito de latão revestido com NiP e com uma camada superior de ouro. Uma cratera de 4 mm foi erodida pelo processo GD. Tempo total de análise: 2 minutos.
A espectroscopia de emissão óptica com detector de domínio de radiofrequência pulsada (RF GDOES) proporciona uma análise química elementar rápida de materiais sólidos em função da profundidade.
Todos os elementos podem ser medidos, incluindo C, H, N, Cl, O, Na, Li, etc.
A espectroscopia de emissão óptica de plasma por radiofrequência pulsada (RF GDOES) não mede isótopos, exceto possivelmente o deutério (D, isótopo do hidrogênio). A RF GDOES pulsada não mede moléculas (como faz a espectroscopia Raman), embora algumas "bandas moleculares" possam ser observadas no plasma e forneçam informações indiretas sobre o material estudado.
A técnica GDOES de radiofrequência pulsada baseia-se na erosão controlada de uma parte representativa do material (diâmetro da cratera de alguns milímetros) pelo plasma e fornece a distribuição elementar em função da profundidade de penetração.
A velocidade da análise GDOES por radiofrequência pulsada permite a realização de múltiplas medições em diferentes locais de uma amostra para avaliar a repetibilidade.
O GDOES de RF pulsado responderá em minutos a várias perguntas, tais como:
Sobreposição de 5 medições em uma superfície de alumínio anodizado com camada delta de cromo.
A rapidez da análise permite a realização de múltiplas medições em diferentes locais de uma amostra para avaliar a repetibilidade.
A GD por radiofrequência pulsada é o método de análise mais avançado e versátil, permitindo a medição de todos os tipos de materiais, desde filmes finos a espessos (condutores e isolantes).
Seja para a composição de materiais ou para o controle de uma produção, o GDOES por radiofrequência pulsada é uma ferramenta rápida, confiável e sensível para obter perfis elementares em profundidade, fornecendo resultados em minutos que permitirão:
A espectrometria de emissão óptica por plasma de radiofrequência pulsada (RF GDOES) é um método de análise destrutivo. O resultado da pulverização do material é um orifício geralmente circular e plano com o diâmetro do ânodo. Chamamos esse orifício de cratera.
A espectrometria de emissão óptica por plasma de radiofrequência pulsada (RF GDOES) é um método de análise destrutivo. O resultado da pulverização do material é um orifício geralmente circular e plano com o diâmetro do ânodo. Chamamos esse orifício de cratera.
